Infineon Technologies BC856UE6327HTSA1

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-74, SOT-457

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Number of Elements

2

hFEMin

200

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-65V

最大功率耗散

250mW

终端形式

鸥翼

额定电流

-100mA

频率

250MHz

参考标准

AEC-Q101

极性

PNP

功率耗散

250mW

晶体管应用

AMPLIFIER

无卤素

不含卤素

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

650mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

转换频率

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅