Infineon Technologies BC858BL3E6327
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BC858BL3E6327
1211-BC858BL3E6327
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS PNP 30V 0.1A SOT23
1最小包装量--
BC858BL3E6327详情
Infineon Technologies BC858BL3E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
250mW
Reach合规守则
unknown
频率
250MHz
基本部件号
BC858
元素配置
Single
功率耗散
250mW
增益带宽积
250MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
220 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 5mA, 100mA
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
RoHS状态
符合RoHS标准
BC858BL3E6327拓展信息
Infineon Technologies
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