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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 BC858BL3E6327
BC858BL3E6327
BC858BL3E6327

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Infineon Technologies BC858BL3E6327

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型号

BC858BL3E6327

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-BC858BL3E6327

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS PNP 30V 0.1A SOT23

起订量

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BC858BL3E6327
BC858BL3E6327 Infineon Technologies TRANS PNP 30V 0.1A SOT23

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BC858BL3E6327详情

技术参数

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Infineon Technologies BC858BL3E6327重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    30V

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2010

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    250mW

  • Reach合规守则

    unknown

  • 频率

    250MHz

  • 基本部件号

    BC858

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    250mW

  • 增益带宽积

    250MHz

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 晶体管类型

    PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    30V

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    220 @ 2mA 5V

  • 最大集极截止电流

    15nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    650mV @ 5mA, 100mA

  • 集电极基极电压(VCBO)

    30V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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