Infineon Technologies BC860BWH6327XTSA1

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

250mV

Number of Elements

1

hFEMin

220

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

低噪音

最大功率耗散

250mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

频率

250MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BC860

配置

SINGLE

功率耗散

330mW

晶体管应用

AMPLIFIER

无卤素

无卤素

增益带宽积

250MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

220 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

转换频率

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅