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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.228259
10
¥0.215338
100
¥0.20315
500
¥0.19165
1000
¥0.180802
Infineon Technologies BCM856SH6433XTMA1
- 收藏
- 对比
BCM856SH6433XTMA1
1211-BCM856SH6433XTMA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BCM856SH6433XTMA1详情
Infineon Technologies BCM856SH6433XTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
65V
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
无铅代码
yes
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
最大功率耗散
250mW
终端形式
鸥翼
基本部件号
BCM856S
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
功率 - 最大
250mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
650mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 5mA, 100mA
转换频率
250MHz
频率转换
250MHz
集电极基极电压(VCBO)
80V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BCM856SH6433XTMA1拓展信息
Infineon Technologies
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