BCM856SH6778XTSA1
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Infineon Technologies BCM856SH6778XTSA1

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型号

BCM856SH6778XTSA1

utmel 编号

1211-BCM856SH6778XTSA1

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

封装

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363

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BCM856SH6778XTSA1
BCM856SH6778XTSA1 Infineon Technologies TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363

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BCM856SH6778XTSA1详情

Infineon Technologies BCM856SH6778XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    26 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-VSSOP, SC-88, SOT-363

  • 引脚数

    6

  • 供应商器件包装

    PG-SOT363-6

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    65V

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • 零件状态

    最后一次购买

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 最大功率耗散

    250mW

  • 基本部件号

    BCM856S

  • 功率 - 最大

    250mW

  • 晶体管类型

    2 PNP (Dual)

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    650mV

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    200 @ 2mA 5V

  • 最大集极截止电流

    15nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    650mV @ 5mA, 100mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    65V

  • 频率转换

    250MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    80V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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BCM856SH6778XTSA1拓展信息

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