注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.686579
10
¥1.591106
100
¥1.501046
500
¥1.416078
1000
¥1.335925
Infineon Technologies BCP5316H6433XTMA1
- 收藏
- 对比
BCP5316H6433XTMA1
1211-BCP5316H6433XTMA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
立即发货

Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin SOT-223 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BCP5316H6433XTMA1详情
Infineon Technologies BCP5316H6433XTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
最大功率耗散
2W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BCP53
配置
SINGLE
电压
80V
电流
15A
功率耗散
1.5W
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
2W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
500mV
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 50mA, 500mA
转换频率
125MHz
频率转换
125MHz
集电极基极电压(VCBO)
100V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BCP5316H6433XTMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。