Infineon Technologies BCP55H6327XTSA1

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Current-Collector (Ic) (Max)

1A

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

2W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

频率

100MHz

基本部件号

BCP55

配置

SINGLE

功率耗散

2W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

1.6mm

长度

6.5mm

宽度

3.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant