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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.108143
10
¥1.045419
100
¥0.986243
500
¥0.930421
1000
¥0.877753
Infineon Technologies BCR22PNH6433XTMA1
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- 对比
BCR22PNH6433XTMA1
1211-BCR22PNH6433XTMA1
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BCR22PNH6433XTMA1详情
Infineon Technologies BCR22PNH6433XTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大功率耗散
250mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BCR22PN
参考标准
AEC-Q101
元素配置
Dual
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN和PNP
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
50 @ 5mA 5V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
转换频率
130MHz
频率转换
130MHz
电阻基(R1)
22k Ω
电阻-发射极基极(R2)
22k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BCR22PNH6433XTMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








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