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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.118499
10
¥1.055186
100
¥0.995455
500
¥0.939114
1000
¥0.885954
Infineon Technologies BCR48PNH6433XTMA1
- 收藏
- 对比
BCR48PNH6433XTMA1
1211-BCR48PNH6433XTMA1
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BCR48PNH6433XTMA1详情
Infineon Technologies BCR48PNH6433XTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Current-Collector (Ic) (Max)
70mA 100mA
Number of Elements
2
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
最大功率耗散
250mW
终端形式
鸥翼
基本部件号
BCR48PN
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 5mA 5V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
转换频率
100MHz
频率转换
100MHz 200MHz
电阻基(R1)
47k Ω, 2.2k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BCR48PNH6433XTMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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