Infineon Technologies BCV27E6327HTSA1

工厂交货时间

26 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

4000

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

360mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

500mA

基本部件号

BCV27

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

360mW

无卤素

不含卤素

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20000 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 100μA, 100mA

转换频率

170MHz

最大击穿电压

30V

频率转换

170MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅