Infineon Technologies BCV49H6327XTSA1

工厂交货时间

26 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

2000

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1W

终端形式

FLAT

极性

NPN

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1W

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10000 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 100μA, 100mA

转换频率

150MHz

最大击穿电压

60V

频率转换

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant