Infineon Technologies BCV62BE6433HTMA1

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-253-4, TO-253AA

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2001

无铅代码

yes

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-30V

最大功率耗散

300mW

终端形式

鸥翼

额定电流

-100mA

基本部件号

BCV62

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G4

配置

电流镜

功率 - 最大

300mW

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

650mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

220 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

转换频率

250MHz

频率转换

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅