Infineon Technologies BCX42E6433HTMA1
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BCX42E6433HTMA1
1211-BCX42E6433HTMA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS PNP 125V 0.8A SOT-23
--最小包装量--
BCX42E6433HTMA1详情
Infineon Technologies BCX42E6433HTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
125V
Current-Collector (Ic) (Max)
800mA
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
-125V
最大功率耗散
330mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
-800mA
频率
150MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BCX42
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率耗散
330mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
125V
最大集电极电流
800mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 200mA 1V
最大集极截止电流
10μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
900mV @ 30mA, 300mA
转换频率
150MHz
集电极基极电压(VCBO)
125V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BCX42E6433HTMA1拓展信息
Infineon Technologies
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