Infineon Technologies BCX5610H6327XTSA1
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BCX5610H6327XTSA1
1211-BCX5610H6327XTSA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-243AA
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TRANSISTOR NPN SOT89
1最小包装量--
BCX5610H6327XTSA1详情
Infineon Technologies BCX5610H6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Power Dissipation (Max)
2W
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2011
JESD-609代码
e3
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
2W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
63 @ 150mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 50mA, 500mA
转换频率
100MHz
频率转换
100MHz
集电极基极电压(VCBO)
100V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BCX5610H6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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