Infineon Technologies BDP948E6433HTMA1
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BDP948E6433HTMA1
1211-BDP948E6433HTMA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
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Trans GP BJT PNP 45V 3A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
1最小包装量--
BDP948E6433HTMA1详情
Infineon Technologies BDP948E6433HTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Current-Collector (Ic) (Max)
3A
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
最大功率耗散
5W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
频率
100MHz
基本部件号
BDP948
配置
SINGLE
功率耗散
5W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
500mV
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
85 @ 500mA 1V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 200mA, 2A
转换频率
100MHz
集电极基极电压(VCBO)
45V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
RoHS状态
符合RoHS标准
BDP948E6433HTMA1拓展信息
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