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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.903663
10
¥2.739304
100
¥2.584248
500
¥2.437969
1000
¥2.29997
Infineon Technologies BDP948H6327XTSA1
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- 对比
BDP948H6327XTSA1
1211-BDP948H6327XTSA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
立即发货

Trans GP BJT PNP 45V 3A 4-Pin SOT-223 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BDP948H6327XTSA1详情
Infineon Technologies BDP948H6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500mV
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
5W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
频率
100MHz
基本部件号
BDP948
元素配置
Single
功率耗散
5W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
500mV
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
85 @ 500mA 1V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 200mA, 2A
转换频率
100MHz
最大击穿电压
45V
集电极基极电压(VCBO)
45V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
1.6mm
长度
6.5mm
宽度
3.5mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BDP948H6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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