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1

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10

￥5.800671
100

￥5.472331
500

￥5.162573
1000

￥4.870352

Infineon Technologies BDP950H6327XTSA1

Name: BDP950H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-BDP950H6327XTSA1
Price: 6.15 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BDP950H6327XTSA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-BDP950H6327XTSA1

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-261-4, TO-261AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT PNP 60V 3A 4-Pin SOT-223 T/R

起订量

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BDP950H6327XTSA1 Infineon Technologies Trans GP BJT PNP 60V 3A 4-Pin SOT-223 T/R

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BDP950H6327XTSA1详情

技术参数

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型号对比

Infineon Technologies BDP950H6327XTSA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

4 Weeks
触点镀层

Tin
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA
引脚数

4
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V
Number of Elements

1
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2001
零件状态

Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

4
ECCN 代码

EAR99
最大功率耗散

5W
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
频率

100MHz
基本部件号

BDP950
配置

SINGLE
功率耗散

3W
箱体转运

COLLECTOR
功率 - 最大

5W
晶体管应用

AMPLIFIER
极性/通道类型

PNP
晶体管类型

PNP
集电极发射器电压(VCEO)

500mV
最大集电极电流

3A
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

85 @ 500mA 1V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 200mA, 2A
转换频率

100MHz
最大击穿电压

60V
集电极基极电压(VCBO)

60V
发射极基极电压 (VEBO)

5V
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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BDP950H6327XTSA1拓展信息

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