Infineon Technologies BDP953H6327XTSA1

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

5W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BDP953

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

800mV

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 500mA 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 200mA, 2A

最高频率

100MHz

转换频率

100MHz

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

1.6mm

长度

6.5mm

宽度

3.5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅