Infineon Technologies BF517E6327HTSA1

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

Current-Collector (Ic) (Max)

25mA

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

280mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

频率

2.5GHz

配置

SINGLE

功率耗散

280mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

15V

最大集电极电流

25mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 2mA 1V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 1mA, 10mA

转换频率

2000MHz

集电极基极电压(VCBO)

20V

发射极基极电压 (VEBO)

2.5V

集电极-基极电容-最大值

0.75pF

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准