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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 BF999E6433HTMA1
BF999E6433HTMA1
BF999E6433HTMA1

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Infineon Technologies BF999E6433HTMA1

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型号

BF999E6433HTMA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-BF999E6433HTMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans RF MOSFET N-CH 20V 0.03A 3-Pin SOT-23 T/R

起订量

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BF999E6433HTMA1
BF999E6433HTMA1 Infineon Technologies Trans RF MOSFET N-CH 20V 0.03A 3-Pin SOT-23 T/R

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BF999E6433HTMA1详情

技术参数

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Infineon Technologies BF999E6433HTMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    SOT-23-3

  • Number of Elements

    1

  • Voltage Rated

    20V

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2007

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 额定电流

    30mA

  • 最大功率耗散

    200mW

  • 额定电流

    30mA

  • 频率

    45MHz

  • 测试电流

    10mA

  • 晶体管类型

    N-Channel

  • 连续放电电流(ID)

    30mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 增益

    27dB

  • 最高频率

    300MHz

  • 噪声图

    2.1dB

  • 电压-测试

    10V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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ISO13485
AS
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优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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