Infineon Technologies BFR193E6327HTSA1

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

80mA

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

12V

最大功率耗散

580mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

65mA

频率

8GHz

基本部件号

BFR193

元素配置

Single

功率耗散

580mW

晶体管应用

AMPLIFIER

无卤素

不含卤素

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

12V

最大集电极电流

80mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 30mA 8V

增益

10dB ~ 15dB

转换频率

8000MHz

集电极基极电压(VCBO)

20V

发射极基极电压 (VEBO)

2V

噪音数字(分贝类型@ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

高度

1mm

长度

2.9mm

宽度

1.3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅