Infineon Technologies BFR843EL3E6327XTSA1

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

2.6V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e4

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Gold (Au)

最大功率耗散

125mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE

箱体转运

EMITTER

功率 - 最大

125mW

晶体管应用

AMPLIFIER

无卤素

无卤素

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

2.25V

最大集电极电流

55mA

增益

25.5dB

最大击穿电压

2.6V

集电极基极电压(VCBO)

2.9V

最高频段

X B

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅