BSC050N03LSGATMA1
BSC050N03LSGATMA1

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Infineon Technologies BSC050N03LSGATMA1

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型号

BSC050N03LSGATMA1

utmel 编号

1211-BSC050N03LSGATMA1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-PowerTDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Single N-Channel 30 V 7.5 mOhm 17 nC OptiMOS? Power Mosfet - TDSON-8

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BSC050N03LSGATMA1
BSC050N03LSGATMA1 Infineon Technologies Single N-Channel 30 V 7.5 mOhm 17 nC OptiMOS? Power Mosfet - TDSON-8

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BSC050N03LSGATMA1详情

Infineon Technologies BSC050N03LSGATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    39 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerTDFN

  • 引脚数

    8

  • 供应商器件包装

    PG-TDSON-8-5

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    18A Ta 80A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V 10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    2.5W Ta 50W Tc

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    OptiMOS™

  • 已出版

    2000

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 功率耗散

    50W

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    5mOhm @ 30A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.2V @ 250μA

  • 无卤素

    无卤素

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2800pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    35nC @ 10V

  • 上升时间

    4ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    80A

  • 阈值电压

    2.2V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大双电源电压

    30V

  • 输入电容

    2.8nF

  • 漏源电阻

    4.2mOhm

  • 最大rds

    5 mΩ

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    含铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和Infineon Technologies & BSC050N03LSGATMA1相似的参数规格。

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BSC050N03LSGATMA1拓展信息

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IRFR5505TRPBF
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IRFP260NPBF
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