Infineon Technologies BSC150N03LDGATMA1

工厂交货时间

26 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

附加功能

逻辑电平兼容

终端形式

FLAT

Reach合规守则

not_compliant

基本部件号

BSC150N03

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

26W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

15m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1100pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13.2nC @ 10V

上升时间

2.2ns

连续放电电流(ID)

8A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

10 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅