Infineon Technologies BSO615NGHUMA1

工厂交货时间

26 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

电压 - 额定直流

60V

终端形式

鸥翼

额定电流

2.6A

基本部件号

BSO615

引脚数量

8

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

150m Ω @ 2.6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 20μA

无卤素

不含卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

380pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

15ns

连续放电电流(ID)

2.6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

60V

漏极-源极导通最大电阻

0.15Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

10.4A

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅