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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.651864
10
¥1.558359
100
¥1.470149
500
¥1.386938
1000
¥1.308432
Infineon Technologies BSP50H6327XTSA1
- 收藏
- 对比
BSP50H6327XTSA1
1211-BSP50H6327XTSA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
立即发货

Trans Darlington NPN 45V 2A 4-Pin SOT-223 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSP50H6327XTSA1详情
Infineon Technologies BSP50H6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
供应商器件包装
PG-SOT223-4
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8V
Current-Collector (Ic) (Max)
1A
Number of Elements
1
hFEMin
1000
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
最大功率耗散
1.5W
基本部件号
BSP50
极性
NPN
电压
45V
元素配置
Single
电流
1A
功率 - 最大
1.5W
晶体管类型
NPN - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
1.3V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
2000 @ 500mA 10V
最大集极截止电流
10μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.8V @ 1mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
45V
最大击穿电压
45V
频率转换
200MHz
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
1.6mm
长度
6.5mm
宽度
3.5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSP50H6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies









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