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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.204281
10
¥4.909699
100
¥4.631791
500
¥4.369615
1000
¥4.122278
Infineon Technologies BSP60H6327XTSA1
- 收藏
- 对比
BSP60H6327XTSA1
1211-BSP60H6327XTSA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
立即发货

Trans Darlington PNP 45V 2A 4-Pin SOT-223 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSP60H6327XTSA1详情
Infineon Technologies BSP60H6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8V
hFEMin
1000
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1.5W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BSP60
极性
PNP
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
1.5W
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
PNP - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
2000 @ 500mA 10V
最大集极截止电流
10μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.8V @ 1mA, 1A
转换频率
200MHz
频率转换
200MHz
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
关断时间-最大值(toff)
1500ns
高度
1.6mm
宽度
3.5mm
长度
6.5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSP60H6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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