Infineon Technologies BSP62H6327XTSA1

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.8V

Number of Elements

1

hFEMin

1000

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1.5W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

基本部件号

BSP62

极性

PNP

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1.5W

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

2000 @ 500mA 10V

最大集极截止电流

10μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.8V @ 1mA, 1A

转换频率

200MHz

最大击穿电压

80V

频率转换

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

90V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

1.6mm

长度

6.5mm

宽度

3.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant