Infineon Technologies BSS192PH6327FTSA1

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

190mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W Ta

Turn Off Delay Time

72 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

SIPMOS®

已出版

2002

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4.7 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

12 Ω @ 190mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 130μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

104pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.1nC @ 10V

上升时间

5.2ns

漏源电压 (Vdss)

250V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

50 ns

连续放电电流(ID)

190mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

-250V

漏源击穿电压

-250V

反馈上限-最大值 (Crss)

8 pF

高度

1.5mm

长度

4.5mm

宽度

2.5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅