Infineon Technologies DDB6U75N16W1RBOMA1

工厂交货时间

16 Weeks

触点镀层

Tin

底架

PCB, Through Hole

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

引脚数

10

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~150°C

已出版

2006

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

27

ECCN 代码

EAR99

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

27

JESD-30代码

R-XUFM-X27

资历状况

不合格

配置

三相逆变器

元素配置

Single

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

335W

正向电流

65A

晶体管应用

电源控制

无卤素

不含卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

69A

峰值反向电流

1mA

最大重复反向电压(Vrrm)

1.6kV

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

137 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.15V @ 15V, 50A

关断时间-标准值（toff)

630 ns

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

2.8nF @ 25V

高度

12mm

长度

48mm

宽度

33.8mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅