Infineon Technologies FP75R12KE3BOSA1

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

引脚数

24

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.15V

Number of Elements

7

操作温度

-40°C~125°C TJ

已出版

2002

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

35

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

350W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

35

JESD-30代码

R-XUFM-X35

极性

NPN

配置

Single

功率耗散

350W

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

355W

正向电流

75A

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

105A

最大集极截止电流

5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

330 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.2V @ 15V, 75A

关断时间-标准值（toff)

610 ns

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

5.3nF @ 25V

高度

17mm

长度

122mm

宽度

62mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant