Infineon Technologies IGD10N65T6ARMA1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件包装

PG-TO252-3

厂商

Infineon Technologies

Product Status

不用于新设计

Current-Collector (Ic) (Max)

23 A

Test Conditions

400V, 8.5A, 47Ohm, 15V

Base Product Number

IGD10N65

MSL

MSL 1 - Unlimited

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Maximum Gate Emitter Voltage

- 20 V, + 20 V

Pd - Power Dissipation

75 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Continuous Collector Current at 25 C

23 A

Mounting Styles

SMD/SMT

Part # Aliases

IGD10N65T6 SP004275478

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Tradename

TRENCHSTOP

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

包装

MouseReel

子类别

IGBTs

技术

Si

配置

Single

功率耗散

75W

输入类型

Standard

功率 - 最大

75 W

产品类别

IGBT晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 8.5A

连续集电极电流

23A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

27 nC

集极脉冲电流（Icm）

42.5 A

Td（开/关）@25°C

30ns/106ns

开关能量

200μJ (on), 70μJ (off)

产品类别

IGBT晶体管