Infineon Technologies IGP20N65H5XKSA1

工厂交货时间

26 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

供应商器件包装

PG-TO220-3-1

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Infineon Technologies

Package

Tube

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

42 A

Test Conditions

400V, 10A, 32Ohm, 15V

Base Product Number

IGP20N65

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.65

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Package Type

TO-220-3

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

28 ns

Operating Temperature-Min

-40 °C

Turn-off Time-Nom (toff)

218 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IGP20N65H5XKSA1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

1.52

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

Single

功率耗散

125

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

125 W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 20A

集电极电流-最大值(IC)

42 A

连续集电极电流

42

IGBT类型

-

集电极-发射器电压-最大值

650 V

闸门收费

48 nC

集极脉冲电流（Icm）

60 A

Td（开/关）@25°C

18ns/156ns

开关能量

170μJ (on), 60μJ (off)