Infineon Technologies IGW40N60H3FKSA1

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

引脚数

3

质量

6.500007g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.95V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 40A, 7.9 Ω, 15V

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

TrenchStop®

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

306W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

306W

晶体管应用

电源控制

无卤素

不含卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

80A

接通时间

48 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 40A

关断时间-标准值（toff)

249 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

223nC

集极脉冲电流（Icm）

160A

Td（开/关）@25°C

19ns/197ns

开关能量

1.68mJ

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant