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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.584682
10
¥6.211965
100
¥5.860343
500
¥5.528628
1000
¥5.215682
Infineon Technologies IKD04N60RF
- 收藏
- 对比
IKD04N60RF
1211-IKD04N60RF
晶体管 - IGBT - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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IGBT 600V 8A 75W TO252-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IKD04N60RF详情
Infineon Technologies IKD04N60RF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
8A
Number of Elements
1
Test Conditions
400V, 4A, 43 Ω, 15V
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchStop®
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
*KD04N60
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
75W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
反向恢复时间
34ns
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
最大耗散功率(Abs)
75W
接通时间
18 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 4A
关断时间-标准值(toff)
216 ns
IGBT类型
Trench
闸门收费
27nC
集极脉冲电流(Icm)
12A
Td(开/关)@25°C
12ns/116ns
开关能量
110μJ
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.7V
RoHS状态
符合RoHS标准
IKD04N60RF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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