IKD04N60RF
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Infineon Technologies IKD04N60RF

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型号

IKD04N60RF

utmel 编号

1211-IKD04N60RF

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT 600V 8A 75W TO252-3

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IKD04N60RF
IKD04N60RF Infineon Technologies IGBT 600V 8A 75W TO252-3

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IKD04N60RF详情

Infineon Technologies IKD04N60RF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    8A

  • Number of Elements

    1

  • Test Conditions

    400V, 4A, 43 Ω, 15V

  • 操作温度

    -40°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    TrenchStop®

  • 已出版

    2012

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    *KD04N60

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    75W

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 反向恢复时间

    34ns

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    600V

  • 最大耗散功率(Abs)

    75W

  • 接通时间

    18 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.5V @ 15V, 4A

  • 关断时间-标准值(toff)

    216 ns

  • IGBT类型

    Trench

  • 闸门收费

    27nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    12A

  • Td(开/关)@25°C

    12ns/116ns

  • 开关能量

    110μJ

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    5.7V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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