Infineon Technologies IKD10N60R

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

20A

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 10A, 23 Ω, 15V

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

TrenchStop®

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

*KD10N60

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

150W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

反向恢复时间

62ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

600V

最大耗散功率(Abs)

150W

接通时间

24 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 10A

关断时间-标准值（toff)

428 ns

IGBT类型

Trench

闸门收费

64nC

集极脉冲电流（Icm）

30A

Td（开/关）@25°C

14ns/192ns

开关能量

590μJ

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.7V

RoHS状态

符合RoHS标准