IKN03N60RC2ATMA1
IKN03N60RC2ATMA1

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Infineon Technologies IKN03N60RC2ATMA1

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型号

IKN03N60RC2ATMA1

utmel 编号

1211-IKN03N60RC2ATMA1

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-261-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3

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IKN03N60RC2ATMA1
IKN03N60RC2ATMA1 Infineon Technologies HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3

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IKN03N60RC2ATMA1详情

Infineon Technologies IKN03N60RC2ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-261-3

  • 供应商器件包装

    PG-SOT223-3-1

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Product Status

    活跃

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    5.7 A

  • Test Conditions

    400V, 3A, 49Ohm, 15V

  • Base Product Number

    IKN03N

  • Maximum Gate Emitter Voltage

    20V

  • Package Type

    PG-SOT223-3

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    600 V

  • MSL

    MSL 1 - Unlimited

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2V

  • 操作温度

    -40°C ~ 150°C (TJ)

  • 功率耗散

    6.3W

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    6.3 W

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    600 V

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.3V @ 15V, 3A

  • 连续集电极电流

    5.7A

  • IGBT类型

    -

  • 闸门收费

    18 nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    9 A

  • Td(开/关)@25°C

    7ns/77.5ns

  • 开关能量

    62μJ (on), 44μJ (off)

  • 反向恢复时间(trr)

    38 ns

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies IKN03N60RC2ATMA1.

IKN03N60RC2ATMA1拓展信息

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