Infineon Technologies IKP01N120H2XKSA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

1

Test Conditions

800V, 1A, 241 Ω, 15V

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2007

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

28W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

28W

晶体管应用

电源控制

无卤素

无卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

3.2A

反向恢复时间

83 ns

JEDEC-95代码

TO-220AB

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

20.9 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.8V @ 15V, 1A

关断时间-标准值（toff)

493 ns

闸门收费

8.6nC

集极脉冲电流（Icm）

3.5A

Td（开/关）@25°C

13ns/370ns

开关能量

140μJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅