Infineon Technologies IKW75N65ET7XKSA1

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

供应商器件包装

PG-TO247-3

厂商

Infineon Technologies

Package

Tube

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

80 A

Test Conditions

400V, 75A, 4.7Ohm, 15V

Base Product Number

IKW75N65

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.35

Maximum Gate Emitter Voltage

- 20 V, + 20 V

Pd - Power Dissipation

333 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

240

Continuous Collector Current at 25 C

80 A

Mounting Styles

通孔

Part # Aliases

IKW75N65ET7 SP005348294

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Tradename

TRENCHSTOP

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

包装

Tube

子类别

IGBTs

技术

Si

配置

Single

功率耗散

333

输入类型

Standard

功率 - 最大

333 W

产品类别

IGBT晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.65V @ 15V, 75A

连续集电极电流

80

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

435 nC

集极脉冲电流（Icm）

225 A

Td（开/关）@25°C

28ns/310ns

开关能量

2.17mJ (on), 1.23mJ (off)

反向恢复时间(trr)

100 ns

产品类别

IGBT晶体管