IPG20N04S412ATMA1
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Infineon Technologies IPG20N04S412ATMA1

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型号

IPG20N04S412ATMA1

utmel 编号

1211-IPG20N04S412ATMA1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-PowerVDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 8TDSON

起订量

--最小包装量--

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IPG20N04S412ATMA1
IPG20N04S412ATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 8TDSON

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IPG20N04S412ATMA1详情

Infineon Technologies IPG20N04S412ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerVDFN

  • 引脚数

    8

  • 供应商器件包装

    PG-TDSON-8-4

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    20A

  • Turn Off Delay Time

    10 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

  • 已出版

    2010

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    41W

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    41W

  • 接通延迟时间

    9 ns

  • 功率 - 最大

    41W

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    12.2mOhm @ 17A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 15μA

  • 无卤素

    无卤素

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1470pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    18nC @ 10V

  • 上升时间

    2ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    40V

  • 下降时间(典型值)

    8 ns

  • 连续放电电流(ID)

    20A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大双电源电压

    40V

  • 漏源击穿电压

    40V

  • 输入电容

    1.13nF

  • 场效应管特性

    Standard

  • 漏源电阻

    12.2mOhm

  • 最大rds

    12.2 mΩ

  • 高度

    1mm

  • 长度

    5.15mm

  • 宽度

    6.15mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

右边的3个型号有着和Infineon Technologies & IPG20N04S412ATMA1相似的参数规格。

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IPG20N04S412ATMA1拓展信息

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