Infineon Technologies IRF6616TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MX

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

21 ns

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 89W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

19A Ta 106A Tc

已出版

2007

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-40°C~150°C TJ

JESD-609代码

e1

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 额定直流

30V

端子位置

BOTTOM

额定电流

19A

JESD-30代码

R-XBCC-N3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

89W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5m Ω @ 19A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.25V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3765pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

44nC @ 4.5V

上升时间

19ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.4 ns

连续放电电流(ID)

15A

阈值电压

1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

40V

雪崩能量等级（Eas）

36 mJ

宽度

5.0546mm

长度

6.35mm

高度

508μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅