Infineon Technologies IRF7101TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

24 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

1997

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

100mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

额定功率

2W

电压 - 额定直流

20V

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

额定电流

3.5A

基本部件号

IRF7101PBF

行间距

6.3 mm

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 1.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

320pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

上升时间

10ns

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

3.5A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

14A

双电源电压

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

3 V

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅