Infineon Technologies IRFHM9331TR2PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

供应商器件包装

PQFN (3x3)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Ta 24A Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

72 ns

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2011

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

2.8W

元素配置

Single

功率耗散

2.8W

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

10mOhm @ 11A, 20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1543pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

48nC @ 10V

上升时间

27ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

60 ns

连续放电电流(ID)

-11A

阈值电压

-1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

-30V

输入电容

1.543nF

恢复时间

96 ns

漏源电阻

14.6mOhm

最大rds

10 mΩ

栅源电压

-1.8 V

高度

939.8μm

长度

2.9972mm

宽度

2.9972mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准