Infineon Technologies IRG4BC30S-STRLP
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IRG4BC30S-STRLP
1211-IRG4BC30S-STRLP
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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IGBT 600V 34A 100W D2PAK
1最小包装量--
IRG4BC30S-STRLP详情
Infineon Technologies IRG4BC30S-STRLP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
11 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Number of Elements
1
Test Conditions
480V, 18A, 23 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2000
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
100W
终端形式
鸥翼
基本部件号
IRG4BC30S-SPBF
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
100W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.6V
最大集电极电流
34A
最大击穿电压
600V
接通时间
40 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.6V @ 15V, 18A
关断时间-标准值(toff)
1550 ns
闸门收费
50nC
集极脉冲电流(Icm)
68A
Td(开/关)@25°C
22ns/540ns
开关能量
260μJ (on), 3.45mJ (off)
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
IRG4BC30S-STRLP拓展信息
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