Infineon Technologies IRG4PH50UDPBF

工厂交货时间

14 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.7V

Number of Elements

1

Test Conditions

800V, 24A, 5 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

110 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2000

JESD-609代码

e3

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

附加功能

超快

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

200W

额定电流

45A

元素配置

Single

功率耗散

200W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

47 ns

晶体管应用

电源控制

上升时间

24ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

3.7V

最大集电极电流

45A

反向恢复时间

90 ns

JEDEC-95代码

TO-247AC

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

73 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.7V @ 15V, 24A

关断时间-标准值（toff)

570 ns

闸门收费

160nC

集极脉冲电流（Icm）

180A

Td（开/关）@25°C

47ns/110ns

开关能量

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)

高度

20.3mm

长度

15.875mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Contains Lead, Lead Free