Infineon Technologies IRG6B330UDPBF

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

330V

Number of Elements

1

Test Conditions

196V, 25A, 10 Ω

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2010

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

160W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

160W

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.76V

最大集电极电流

70A

反向恢复时间

60 ns

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

83 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.76V @ 15V, 120A

关断时间-标准值（toff)

411 ns

IGBT类型

Trench

闸门收费

85nC

Td（开/关）@25°C

47ns/176ns

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant