Infineon Technologies IRG7CH44K10EF
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IRG7CH44K10EF
1211-IRG7CH44K10EF
晶体管 - IGBT - 单个
Die
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IGBT CHIP WAFER
1最小包装量--
IRG7CH44K10EF详情
Infineon Technologies IRG7CH44K10EF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
Die
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
25A
Number of Elements
1
Test Conditions
600V, 25A, 10 Ω, 15V
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Bulk
已出版
2012
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
无铅
JESD-30代码
S-XUUC-N2
配置
SINGLE
输入类型
Standard
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
100 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.3V @ 15V, 25A
关断时间-标准值(toff)
475 ns
闸门收费
160nC
Td(开/关)@25°C
60ns/230ns
栅极-发射极电压-最大值
30V
VCEsat-最大值
1.63 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
7.5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IRG7CH44K10EF拓展信息
Infineon Technologies
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