IRG7CH44K10EF
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Infineon Technologies IRG7CH44K10EF

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型号

IRG7CH44K10EF

utmel 编号

1211-IRG7CH44K10EF

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

Die

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT CHIP WAFER

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IRG7CH44K10EF Infineon Technologies IGBT CHIP WAFER

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IRG7CH44K10EF详情

Infineon Technologies IRG7CH44K10EF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    Die

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    25A

  • Number of Elements

    1

  • Test Conditions

    600V, 25A, 10 Ω, 15V

  • 操作温度

    -40°C~175°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2012

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    无铅

  • JESD-30代码

    S-XUUC-N2

  • 配置

    SINGLE

  • 输入类型

    Standard

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200V

  • 接通时间

    100 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.3V @ 15V, 25A

  • 关断时间-标准值(toff)

    475 ns

  • 闸门收费

    160nC

  • Td(开/关)@25°C

    60ns/230ns

  • 栅极-发射极电压-最大值

    30V

  • VCEsat-最大值

    1.63 V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    7.5V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies IRG7CH44K10EF.

IRG7CH44K10EF拓展信息

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